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飞兆半导体为DCDC应用推出MLP封装器件

发布时间:2019-05-08 21:42 来源:未知 编辑:admin

  飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)成功扩展其功率开关器件解决方案,推出采用超紧凑型(3mm×3mm)模塑无脚封装(MLP)的100V、200V和220V N沟道UltraFET器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式DC/DC转换器的初级端开关,能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。

  与市场上类似的200V MLP 3x3封装器件相比,飞兆半导体的200V器件FDMC2610具有业界最低的米勒电荷(3.6nC对比4nC)和最低的导通阻抗(200mΩ对比240mΩ)。这些特性使该器件的品质系数(FOM)降低了27%,并且在DC/DC转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200V器件具有同类封装器件中最佳(3C/W比25C/W)的热阻(Theta JC),在严苛的环境中也能保证可靠的散热。

  飞兆半导体通信应用部市场发展经理Mike Speed称:“飞兆半导体现为设计人员提供具有业界领先性能的超紧凑型MLP 3x3功率开关产品。我们将PowerTrench工艺的优点与先进的封装技术相结合,全面提升UltraFET产品系列的性能。这些产品经过专门定制,能满足现今DC/DC转换器应用中最严苛的设计要求。”

  飞兆半导体的UltraFET器件除了能提供比市场上同类型封装MLP器件更出色的热性能和开关性能外,仅占用较DC/DC转换器设计常用的SO-8封装器件一半的线路板空间。封装尺寸的缩少可让工程师减小MOSFET的占位面积及增强封装热容量,以便设计出更小型,更高功率密度的DC/DC转换器。

  飞兆半导体还推出了一款同样采用MLP 3×3封装的150V P沟道平面型UltraFET器件,与这三种N沟道器件相辅相成。这个器件针对有源箝位拓朴中同时需要N沟道和P沟道MOSFET的应用而开发。为设计人员提供了完整的解决方案,这些无铅器件能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。

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